志成半导体创业板IPO受理！ CVD碳化硅零部件市场位居国内第五，融资8亿研发SiC材料等

电子爱好者网报道（文/刘静）6月26日，深圳志诚半导体材料有限公司公司（以下简称：志诚半导体） ) 创业板IPO申请获受理。

志成半导体本次发行不超过2000万股新股，募集资金8亿元，用于SiC材料研发制造总部项目、SiC材料研发项目等

志诚半导体成立于2017年，专注于半导体设备用碳化硅涂层石墨组件，并提供相关碳化硅涂层服务。其主要产品可应用于碳化硅外延设备、MOCVD设备、硅外延。反应室中的设备和其他半导体设备。

据QY Research统计，2021年全球CVD碳化硅元件市场排名前六位的制造商合计市场份额接近70%。志成半导体以2.02%的市场份额排名全球第十，排名第一。唯一进入前十名的中国制造商； 2021年，中国市场CVD碳化硅组件前四大厂商市场份额合计接近80%，比全球市场更加集中。志成半导体市场份额为9.05%，在中国市场排名第五，中国企业第一。

天眼查显示，志诚半导体此前已完成三轮融资，投资方包括兴诚资本、银河源汇、华佗资本、粤才创投、芯鑫创投、国投创投等。公司控股股东及实际控制人为朱百喜，直接持有公司15.50%的股份，并通过三个持股平台分别持有公司8.84%、3.08%和0.99%的股份，合计控制公司股份28.42%。

营收三年增长近6倍，SiC外延设备零部件业务表现强劲

报告期内，志诚半导体分别实现营业收入4200万元、1.19亿元、2.76亿元。营收三年增长近6倍，年复合增长率高达156.35%；同期获得归属于母公司的净利润分别为1600万元、5100万元、1.15亿元。年复合增长率高于营收，达到168.10%。总体来看，营收和净利润均呈现快速增长态势。

2020年、2021年、2022年，志成半导体主营业务毛利率分别为72.77%、78.15%、78.49%。毛利率保持在较高水平并逐年提高。

目前，志诚半导体的主要产品包括SiC外延设备、MOCVD设备、Si外延设备用碳化硅涂层石墨零件，并持续开发半导体设备用固体碳化硅零件、烧结碳化硅零件等新产品。

报告期内，志诚半导体主营业务收入按产品分类构成如下：

志成半导体营收主要来自半导体设备零部件业务，其中营收占比最大的是SiC外延设备零部件产品。报告期内，该产品销售收入快速增长，从2020年的455万元增长到2022年的1.1亿元，2017年SiC外延设备零部件销售突破33062件。 SiC外延设备是采用化学气相沉积方法在碳化硅衬底上沿其原有晶向生长一层均质或异质SiC薄膜的设备。志诚半导体SiC外延设备零部件的代表产品主要包括6英寸托盘、上半月部件、下半月部件。 新能源汽车是主要终端市场。

MOCVD设备零部件是志诚半导体第二大收入来源。 2021年该产品营收同比增长129.80%至6400万元，2022年进一步增长至6600万元。志成半导体MOCVD设备零部件的代表产品主要是41片4英寸石墨底座、4英寸石墨底座36个、2英寸石墨底座19个。

2022年，志成半导体三大业务板块：半导体设备零部件、镀膜服务、外包零部件同比增速分别为87.33%、475.56%、360.09%。涂装服务和外部零部件业务将大幅增长。推动。

截至本招股书签署日，志诚半导体用于刻蚀设备的物理碳化硅元件产品聚焦环已实现研发突破，进入客户验证阶段。其客户主要为半导体设备厂、外延片厂、晶圆厂。招股书显示，志成半导体2022年前五名客户分别为客户A、三安光电、电科集团、瀚天天成、北方华创。销售总额1.44亿元，占当期营业收入的52.19%。 。

与同行公司相比：业务规模较小，产品类型相对单一，研发费用率较高

在半导体设备用碳化硅涂层石墨元件领域，东海碳素、崇泰宇博、西格里碳素、东洋碳素、科斯特等国际领先企业早已立足，并已在北美、欧洲等地建立了据点。 、日本、韩国。半导体市场高度发达，国际领先的材料和元器件公司拥有较为完善的产品线布局并占据较高的市场份额。

国内半导体设备用碳化硅涂层石墨零部件行业主要企业有德智新材、海克斯康科技、成都超纯、富创精密、神工股份、金博股份

2022年，志诚半导体将在营业收入、归属母公司净利润、总资产等方面与同业进行比较。详情如下：

与国际同行相比，志成半导体业务规模较小，资金实力较弱，产品类型相对单一，整体竞争力仍不足。在技​​术层面，志诚半导体主要产品在典型膜厚、表面粗糙度、热膨胀系数（线）等指标上与西格里碳素、东海碳素的一些国际同行标杆产品高度一致，具备技术实力。和产品竞争力。如果志诚半导体不能增强技术储备、增加业务规模、增强资本实力，在全球的行业竞争中，志诚半导体的市场竞争力可能下降，经营业绩可能下降。

志成半导体高度重视技术创新的发展。报告期内，志诚半导体研发费用分别为433.29万元、1367.21万元、2708.90万元，研发费用率分别为10.20%、11.48%、9.82%。志成半导体研发费用占营业收入的比例高于同行业可比公司平均水平。据了解，这主要得益于志诚半导体报告期内对涂层技术迭代、固体碳化硅等新研发方向的高投入。 。

截至本招股说明书签署日，志诚半导体共获得国内授权专利41项，其中发明专利24项，实用新型专利17项。除了碳化硅涂层石墨基等代表性产品外，志成半导体还积极拓展固体碳化硅、烧结碳化硅等新产品的研发并取得了阶段性进展。

融资8亿开发SiC材料产品及技术

志诚半导体此次瞄准创业板IPO，计划募集资金8亿元，投资以下三大项目：

对于SiC材料研发制造总部项目，志成半导体拟募集资金投入3.15亿元，建设生产车间、研发办公楼、电站、甲级仓库。投资项目建设完成后，将主要从事半导体设备用碳化硅零部件的生产和研发，包括碳化硅涂层石墨零部件和实心碳化硅零部件。

在SiC材料研发项目中，志成半导体计划投资2.87亿元，在以下四大方向开展研发工作：碳化硅涂层石墨零部件研发及技术改进项目、固体碳化硅产品及技术研发项目、烧结碳化硅产品及技术研发项目、TaC涂层石墨产品及技术研发项目。

其中，碳化硅涂层石墨件研发及技术改进项目将开展CVD碳化硅沉积炉及其集群数据采集系统的开发、生产用架构和工艺配方软件的研发、超滤膜的研发等。 -核心原料的高纯度提纯工艺。 。实体碳化硅产品及技术研发项目将围绕等离子刻蚀等集成电路制造设备中使用的碳化硅部件，重点开发聚焦环、顶盖、伴生片、喷头等产品。

烧结碳化硅产品及技术研发项目计划开发碳化硅原料粉末提纯技术、超声波清洗技术、超薄管壁凝胶成型技术、CVD涂层等相关技术。 TaC涂层石墨产品及技术研发项目是开发规模化生产致密均匀TaC涂层石墨零件的工艺路线，制备用于碳化硅外延设备或硅片的TaC涂层石墨产品。硬质合金单晶炉设备。