二极管的核心是PN结。因此，二极管的单向导电性是由PN结的特性决定的。在P型和N型半导体之间的界面附近，由于N区自由电子浓度较大，带负电的自由电子将从N区移动到P区电子浓度低。结果，PN结朝向P区的一侧带负电，朝向N区的一侧带正电，形成从N区指向P区的电场。即PN结内的电场。内部电场会阻碍多数载流子的继续扩散，也称为势垒层。
(1)当PN结上加正向电压时，PN结的P区接电源正极，N区接电源负极。此时，外部电压在PN结上产生的电场与PN结内的电场相反，削弱了PN结内的电场，使大部分载流子能够顺利地通过PN结，形成正向导通。 电流，随着外部电压的升高而迅速增大，即施加正向电压时PN结处于导通状态。 。
(2)当PN结上加反向电压时，PN结的P区接电源负极，N区接电源正极。此时，外部电压在PN结上产生的电场与PN结内的电场方向相同，增强了PN结。由于内部存在电场，大多数载流子在电场力的作用下很难通过PN结。反向电流很小，即施加反向电压时PN结处于截止状态。
(1)正极电位>负极电位，二极管导通；
(2)正极电位<负极电位，二极管截止。
即，二极管正向偏置并导通，反向偏置并截止。这种导电特性称为二极管的单向导电性。
(1)施加正向电压，二极管导通
将二极管的阳极接电路中的高电位，阴极接低电位，称为正向偏压（forwardbias）。此时二极管内部有一个很小的电阻，有很大的电流流过它。二极管的这种状态称为正向导通状态。
(2)加反向电压二极管截止
将二极管的阳极接电路中的低电位，阴极接高电位称为反向偏压（reversebias）。此时二极管的内阻很大，几乎没有电流流过。二极管的这种状态称为反向截止状态。
1. 积极的特质
当正向电压较小时，二极管的电阻很大，基本处于截止状态。该区域通常被称为前向特性的“死区”。一般硅二极管的“死区”电压约为0.5伏，锗二极管的“死区”电压约为0.5伏。大约0.2伏。
当正向电压超过“死区”电压时，二极管的电阻变得很小，二极管处于导通状态。二极管导通后，两端压降基本保持不变。硅二极管约为0.7伏，锗二极管约为0.3伏。如图所示。
2.反向特性
(1)当在反向截止区的二极管上施加反向电压时，仍然会有反向电流流过二极管，称为漏电流。漏电流基本不随反向电压的变化而变化，称为反向截止区。
(2)反向击穿区：当施加在二极管两端的反向电压超过某一规定值时，反向电流突然急剧增大。这种现象称为反向击穿。在实际应用中，普通二极管应避免工作在击穿范围内。如图所示。
